高頻探針的接觸是用鈹-銅制作的。高頻探針在射頻產(chǎn)品生命周期中幾乎每一個(gè)階段都起著重要作用：從技術(shù)開(kāi)發(fā)，模型參數(shù)提取，設(shè)計(jì)驗(yàn)證及調(diào)試一直到小規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試和最終的生產(chǎn)測(cè)試。通過(guò)使用高頻探針，人們便有可能在晶片層次上測(cè)量高頻組件的真正特性。這可以將研究和開(kāi)發(fā)時(shí)間縮短并且大大降低開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的成本。
經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，高頻探針技術(shù)便取得了巨大的進(jìn)步，從低頻測(cè)量到適用多種應(yīng)用場(chǎng)合的商用方案：如在110GHz高頻和高溫環(huán)境進(jìn)行阻抗匹配，多端口，差分和混合信號(hào)的測(cè)量裝置，連續(xù)波模式中直到60W的高功率測(cè)量，以及直到750GHz的太赫茲應(yīng)用，都能見(jiàn)到高頻探針的身影。

人們最早采用高頻探針技術(shù)與今天的工具是很不相同的，早期探針使用了由一個(gè)很短的線極尖而逐漸收斂的50-Ω微帶線，通過(guò)探針基片上一個(gè)小孔而與被測(cè)器件（DUT）的壓點(diǎn)（pad）相接觸。此時(shí)，其技術(shù)難度在于如何突破4GHz時(shí)實(shí)現(xiàn)可重復(fù)測(cè)量。雖然有可能通過(guò)校準(zhǔn)過(guò)程來(lái)剔除一個(gè)接觸線極尖相對(duì)較大的串聯(lián)電感的影響，但當(dāng)圓晶片的夾具被移動(dòng)時(shí)，線極尖的輻射阻抗會(huì)有較大的變化。高頻測(cè)量使用的極尖設(shè)計(jì)與用于直流和低頻測(cè)量的極尖不同，而且必須使50-Ω環(huán)境盡可能地接近于DUT壓點(diǎn)。

之后工程師在探針技術(shù)上取得了突破。確定了高頻探針的基本要求和工作原理：

1） 探針的50-Ω平面?zhèn)鬏斁€應(yīng)當(dāng)直接與DUT壓點(diǎn)相接觸而不用接觸導(dǎo)線。對(duì)于微帶線和隨后的共面探針設(shè)計(jì)，探針的接觸是用小的金屬球來(lái)實(shí)現(xiàn)的，這個(gè)金屬球要足夠大以保證可靠且可重復(fù)性的接觸。

2） 為了能同時(shí)接觸到DUT的信號(hào)壓點(diǎn)和接地壓點(diǎn)，需要將探針傾斜。這個(gè)過(guò)程被稱為“探針的平面化”。

3） 探針的接觸重復(fù)性比同軸連接器的可重復(fù)性要好得多。便于進(jìn)行探針極尖和在片標(biāo)準(zhǔn)及專(zhuān)用校準(zhǔn)方法的開(kāi)發(fā)。

4）具有很高重復(fù)性的接觸可以進(jìn)行探針的準(zhǔn)確校準(zhǔn)并將測(cè)量參考平面移向其極尖處。 來(lái)自探針線和到同軸連接器的過(guò)渡所產(chǎn)生的探針的損耗及反射是通過(guò)由射頻電纜和連接器的誤差相類(lèi)似的方式而抵消的。